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储存型快闪存储(NAND Flash)军备竞赛再起,南韩存储大厂SK海力士决定再投资3.16兆韩元(约27亿美元),在南韩及大陆两地增加存储产能;紫光集团旗下的长江存储武汉厂,也预定本月底正式动土,都为2018年供给过于求再现,埋下隐忧。

目前各市调机构均看好明年NAND Flash仍处于供不应求局面,但南韩存储大厂SK海力士上周宣布将在南韩盖一座全新快闪存储厂,在中国大陆也将加码投资9,500亿韩元,扩充产能,希望市占率能赶上三星,但也为NAND Flash市场投下新变数。

稍早三星和美光也都宣布进一步扩产行动。三星也正于京畿道平泽建设新厂,预定2017年上半启用,第一期投资额15.6兆韩元(134亿美元),估计12寸晶圆产量可达20万片,虽然三星还未敲定生产项目,但市场推测,因三星DRAM市占已接近跨过50%门槛,有反托辣斯法要求分割疑虑,应仍会以发展3D NAND Flash 为主。

半导体设备厂透露,目前六大NAND Flash芯片厂都有持续扩充NAND Flash芯片计划,不过在各家从2D转3D NAND芯片,因制程难度高,造成供应不足,使今年NAND芯片供应短缺,预料随3D NAND芯片下半年制程逐步顺利,缺货问题会逐渐纾解。

大陆NAND FLASH狂飙,2020年产能拼增近7倍

中国大陆业者在NAND Flash产业链的相关布局与投资不断开展,成为大陆半导体业挥军全球的下一波焦点。集邦科技旗下拓墣产业研究所最新研究报告显示,随着紫光国芯(原同方国芯)投资、武汉新芯扩厂,以及国际大厂如三星、英特尔增加产能,预估2020年大陆当地NAND Flash月产能达59万片,相较于2015年成长近7倍。

集邦预估,2012~2016年NAND Flash生产端年平均位元成长率达47%,其终端消费端需求年平均位元成长率亦高达46%,显示NAND Flash仍为高速发展产业。拓墣研究经理林建宏表示,中国大陆在突破存储自制缺口的政策方针下,将发展NAND Flash晶圆制造,可由NAND Flash产品特性、3D NAND需求、新兴市场的成长空间及国际半导体大厂在大陆投资四大方向切入。

在NAND Flash产品特性部分,产品在消费性应用下,价格是主要考量,因此生产成本的控制至为关键。大陆厂商宜透过折旧认列年限调整、租赁、税负与资金成本等因素操作为切入点。

在制程微缩部分,NAND Flash在进入2x奈米世代后,制程微缩带来的成本优势越来越不明显,推迟国际NAND Flash大厂技术进程,因此3D NAND Flash成为成本继续降低的重要方法。林建宏指出,产品由2D走到3D,需有新的技术领域加入,若能整合跨领域人才和技术,能成为大陆厂商追赶的机会。

在市场需求上,虽然NAND Flash产业短期仍处于供过于求,但长期而言新兴市场仍有成长空间。大陆随着一带一路政策发展的策略,对开发其周遭新兴市场需求有相当助益,妥善安排资源与发挥对新兴国家的影响力,将是大陆独有的优势所在,也可创造出更多元的NAND Flash需求。

另外,国际半导体厂商积极投入大陆市场,在当地培养有经验和技术的人才,支持厂房运维的高度需求,有助降低大陆当地业者发展自主NAND Flash制造的门槛。大陆透过广大的人力和市场成功吸引国际厂商的进驻,为大陆发展NAND Flash产业带来最好机会。

目前在大陆当地生产NAND Flash的业者以三星为主,英特尔已决定将大连厂改为NAND Flash厂,预计自今年第4季加入生产行列。在当地业者部分,武汉新芯已决定新建存储晶圆厂,将从3月底开始进行建厂工程,目标最快在2018年年初开始生存储芯片,初期规画将以目前最先进的3D -NAND Flash为主要策略产品,代表了近两年来中国大陆极力发展存储产业的态势下,将开始进入新的里程碑。

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原文作者:半导体行业观察

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